“光刻机的定位分辨率一般来说，比制程分辨率会高一到两代。”
“我们新科目前采用的芯片制程是0.35微米技术，定位分辨率则能够达到0.25微米水平。”
“按照正常的研发序列，我们接下来五年时间里会陆续开发出0.18和0.13微米级别的定位分辨率技术。”
“受限于我们目前的技术水平，到2004年我们最多可以把定位分辨率推进到90纳米。”
送走了林千军，王中军在实验室的闭门小会里露出了一脸愁容。
大家打完了鸡血，热情却不能直接变成科研成果，而科学技术又从来不以人的意志为转移。
所以在说到具体问题的时候，该掉头发还是要掉头发的。
“情况就是这么个情况，我们现在能够做到0.25微米已经是为了追赶国际先进水平，付出极大压力之后的成果了。”
“可是如果要满足有关单位的需求，我们的纳米光栅必须达到100纳米的分辨率。这已经不是亚微米技术，而是微纳米的范畴了。也就是说，我们需要跨越至少五年时间的技术发展，将定位分辨率提前推到100纳米。”
王中军说到这里不由皱起眉头，手摸着烟盒却没有打开：“都说说吧，有什么思路没有？”
下面实验室里的研究员们面面相觑，跟着一起犯起了难。
“继续采用化学蚀刻法怎么样？如同通过多次曝光的技术……”
“不行的，化学蚀刻法的各向异性太差了。即使是重复曝光蚀刻，也会导致两侧侵蚀，精度必然达不到100纳米的要求。”
纳米光栅的制作技术，其实和制作芯片差不多，一样是通过在硅片上涂抹光刻胶，然后反复曝光、蚀刻，最后形成符合精度要求的光栅。不过目前业界通常采用的化学蚀刻方法，却在微纳米级条件下并不适用了。
化学蚀刻法用通俗的话来说，就是在晶圆上涂布光刻胶，然后通过曝光去除光刻胶，再用腐蚀性材料对暴露出来的硅片进行腐蚀，最后形成集成电路需要的结构。
但这也有一个问题，湿法化学蚀刻用的蚀刻液在蚀刻中，各向异性的不佳会导致在光刻胶覆盖下的晶圆同样也有一部分被侵蚀了。反过来说，就是湿法化学蚀刻的各向同性性能很好，不仅能向下侵蚀，同样也能向左右侵蚀。
这样一来，对精度要求高的情况下，这种技术显然就天然不适用了。
第一个提议被毙了，这无疑让其他人谨慎了许多。原本还想开口的人，脸上也皱起了眉头。
“100纳米的测量能力，美国人有没有？他们是怎么实现的？”
“怎么没有？没有这个能力，哈勃望远镜怎么上天？劳伦斯实验室的光学加工设备有10纳米的精度、1纳米的定位分辨率，早就走到我们的终点线了。”